Асеев Александр Леонидович

Действительный член (академик) РАН, вице-президент РАН, председатель Сибирского отделения РАН (СО РАН), директор Института физики полупроводников (ИФП) им. А.В.Ржанова СО РАН, член Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий; родился 24 сентября 1946 г. в г. Улан-Удэ; в 1968 г. окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (НГУ), доктор физико-математических наук; после окончания НГУ начал работать в ИФП им. А.В.Ржанова, а в 2003 г. возглавил этот институт; специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур; член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, член ученого совета НГУ, член редколлегий ведущих научных российских и международных журналов; в 1996-2005 годах входил в состав совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия); 1 июня 2008 г. в Москве на общем собрании РАН был избран председателем СО РАН (обошел действующего председателя СО РАН академика Н.Добрецова с большим отрывом, получив 144 голоса против 95).