Хохлов Дмитрий Ремович

Заведующий кафедрой общей физики и магнитоупорядоченных сред МГУ; родился в 1957 г. в Москве; окончил физический факультет МГУ (1980); Доктор физико-математических наук (1992 г.), профессор (1998 г.), член-корреспондент РАН (2008 г.); Руководитель лаборатории физики полупроводников; Лауреат Государственной премии РФ 1995 г. Лауреат премии им. Шувалова 1995 г.; Тема докторской диссертации "Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы"; Член Научного Совета РАН по физике полупроводников, заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию, член Ученого Совета физического факультета МГУ; Область научных интересов: Физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур; Основные направления работы и полученные результаты: гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени; локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях; СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени; СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости; селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона; Разработаны физические принципы работы новых фотоприемных устройств инфракрасного и терагерцового диапазонов и сконструировал инфракрасный радиометр нового типа, превосходящий по ряду параметров все известные мировые аналоги. Предложена и экспериментально обоснована возможность реализации высокочувствительной "непрерывной" фокальной матрицы изображения принципиально нового типа, работающей в терагерцовом диапазоне. Помимо вышеперечисленных областей, развивается ряд новых направлений, в частности, исследование транспортных, оптических и фотоэлектрических свойств супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов III группы и некоторых других материалов.