Королева Людмила Ивановна

Руководитель лаборатории магнитных полупроводников Кафедры общей физики и магнитоупорядоченных сред МГУ; Доктор физико-математических наук (1991), Профессор (1993); Область научных интересов: Магнитные полупроводники, спиновые стекла, халькогенидные шпинели, манганиты, магнитно-двухфазное состояние; Теория предсказывает, что в магнитных полупроводниках имеют место особые магнитно-примесные состояния. Например, в магнитных полупроводниках с красным сдвигом дна зоны проводимости при понижении температуры, носители заряда локализуются вблизи примесей и создают ферромагнитные (Ф) микрообласти (ферроны) из-за выигрыша в энергии внутризонного s-d обмена. В антиферромагнитных (АФ) полупроводниках ферроны могут существовать начиная с Т=0 и в Ф полупроводниках они присутствуют в районе точки Кюри. В Ф полупроводниках с синим сдвигом дна зоны проводимости, напротив, предпочтительно образование микрорайонов с расстроенным Ф порядком (антиферронов) из-за выигрыша в энергии межзонного s-d обмена. В группе Королевой были получены экспериментальные доказательства существования ферронов в магнитнополупроводниковых халькошпинелях и манганитах. Например, с помощью ферронов были объяснены следующие экспериментальные факты, наблюдавшиеся в монокристаллах классических магнитных полупроводников CdCr2Se4 и HgCr2Se4, легированных In или Ga: гигантский максимум электросопротивления немного выше точки Кюри, который смещается в сторону высоких температур под действием магнитного поля; гигантское отрицательное магнитосопротивление (МС) в точке Кюри и большое положительное МС при более высоких температурах, которое сопровождается скачками на кривых намагниченности от поля; гигантский максимум фотосопротивления в точке Кюри и отсутствие максимума у темнового сопротивления в кристаллах CdCr2Se4, слабо легированных Ga; низкотемпературный переход металл-изолятор в кристаллах CdCr2Se4, сильно легированных In или Ga. Общее количество публикаций:более 200